收藏本站
NXP Semiconductors
PESD5V0V1BSF
Bidirectional very low capacitance ESD protection diode
2. Pinning information
Table 2.
Pinning
Pin
1
Description
cathode (diode 1)
Simplified outline
Graphic symbol
2
cathode (diode 2)
1
2
1
2
sym045
Transparent
top view
3. Ordering information
Table 3.
Ordering information
Type number
Package
Name
PESD5V0V1BSF -
Description
leadless ultra small package; 2 terminals;
Version
SOD962
body 0.6 × 0.3 × 0.3 mm
4. Marking
Table 4.
Marking codes
Type number
PESD5V0V1BSF
Marking code
V
5. Limiting values
Table 5. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
P PP
I PP
T j
T amb
T stg
peak pulse power
peak pulse current
junction temperature
ambient temperature
storage temperature
t p = 8/20 μ s
t p = 8/20 μ s
[1][2]
[1][2]
-
-
-
? 55
? 65
8
1
150
+150
+150
W
A
° C
° C
° C
[1]
[2]
Non-repetitive current pulse 8/20 μ s exponentially decaying waveform according to IEC 61000-4-5;
see Figure 1 .
Measured from pin 1 to pin 2.
PESD5V0V1BSF
Product data sheet
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
Rev. 2 — 17 February 2011
? NXP B.V. 2011. All rights reserved.
2 of 13
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
PESD5V0X1BL,315 DIODE ESD PROT BI-DIR 5V SOD-882
PESD5V0X1BQ,115 DIODE ESD PROT BI-DIR 5V SOT-663
PESD5V0X1UAB,115 DIODE ESD PROT UNIDIR 5V SOD523
PESD5V0X1UALD,315 DIODE ESD PROT UNIDIR 5V SOD882
PESD5V0X1UB,135 DIODE ESD ULT LOW CAP UNI SOD523
PESD5V0X1ULD,315 DIODE ESD PROT UNIDIR 5V SOD882
PESD5V2S18U,118 ARRAY ESD PROTECTION 20SSOP
PESD5Z12,115 DIODE ESD PROTECT UNI SOD523
相关代理商/技术参数
PESD5V0V1BSF_11 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Ultra low profile bidirectional very low capacitance ESD protection diode
PESD5V0V1USF,315 功能描述:DIODE ESD PROTECTION SOD962 RoHS:是 类别:未定义的类别 >> 其它 系列:* 标准包装:1 系列:* 其它名称:MS305720A
PESD5V0V1USF315 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
PESD5V0V2BMBYL 功能描述:TVS DIODE 5VWM 12.5VC XQFN3 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:齐纳 双向通道:2 电压 - 反向关态（典型值）:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:12.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:9A（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:18pF @ 1MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-XFDFN 供应商器件封装:DFN1006B-3 标准包装:1
PESD5V0V2BMYL 功能描述:TVS DIODE 5VWM 12.5VC XQFN3 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 类型:齐纳 双向通道:2 电压 - 反向关态（典型值）:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:12.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:9A（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:- 电源线路保护:无 应用:汽车级 不同频率时的电容:18pF @ 1MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:DFN1006-3 标准包装:1
PESD5V0V4UF 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Very low capacitance unidirectional quadruple ESD protection diode arrays
PESD5V0V4UF T/R 功能描述:TVS二极管阵列 DIODE ARRAY ESD TAPE-7 RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C
PESD5V0V4UF,115 功能描述:TVS二极管阵列 DIODE ARRAY ESD RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C